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电子元器件详细资料 » IC[27026] » SI5947DU-T1-GE3
型号:SI5947DU-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? CHIPFET? 双描述:MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C58 毫欧 @ 3.6A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs17nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds480pF @ 10V
功率_最大10.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装PowerPAK? ChipFet 双
包装Digi-Reel®

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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SI5947DU-T1-GE3相关型号

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